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砷化镓/氮化镓


砷化镓 GaAs




Type/Dopant SI-Type/Carbon N-Type/Si Undoped P-Type/Zn
Growth Method VGF
Diameter 2", 3", 4"
Orientation (100)±0.5°
Thickness (μm) 2": 350±25um; 3" and 4": 625±25um
Mobility (cm2/V.S.) >1 × 103 (1-2.5) × 103 (3-5) × 103 50-100
Etch Pitch Density (cm2) 1500-5000 100-5000 1500-5000 3000-5000
TTV [P/P] (μm) <5
TTV [P/E] (μm) <10
Warp (μm) <10
Surface Finished P/P, P/E, E/E

Note: Other Specifications maybe available upon request



砷化镓(gallium arsenide),化学式 GaAs。黑灰色固体,熔点1238℃。它在600℃以下,能在空气中稳定存在,并且不被非氧化性的酸侵蚀。

砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构,晶格常数5.65×10-10m,熔点1237℃,禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5~6倍,故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外,还可以用于制作转移器件──体效应器件。砷化镓是半导体材料中,兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小,导热性差,不适宜制作大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能,但由于它在高温下分解,故要生产理想化学配比的高纯的单晶材料,技术上要求比较高。


砷化镓集成电路(gallium arsenide integrated circuit,GaAsIC),是指用半导体砷化镓(GaAs)器件构成的集成电路。砷化镓集成电路包括了砷化镓超高速集成电路(VHsIC)、微波单片集成电路(MMIC)和光电集成电路(OEIC)。GaAsIC主要指以GaAs半导体材料为主所制作的集成电路,其有源器件主要是金属肖特基场效应晶体管(MESFET)和结型场效应晶体管(JFET);同时还包含了用分子束外延(MB)E和有机金属汽相沉积(MOCVD)生长的材料所制作的高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结双极晶体管(HBT)等器件所研制的集成电路




氮化镓 GaN



GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,并与SIC、金刚石等半导体材料一起,被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景



氮化镓,分子式GaN,英文名称Gallium nitride,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特,可以用在高功率、高速的光电元件中,例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管,可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器(Diode-pumped solid-state laser)的条件下,产生紫光(405nm)激光。



6英寸氮化镓复合衬底
GaN/ Al2O3 Substrates (6")
产品型号 ST-ncY-Φ150 ST-ncZ-Φ150 ST-ncH-Φ150
Item
尺寸 Φ150.0±1.0 (6")
Size (mm)
衬底结构 GaN on Sapphire(0001)
Substrate Structure (Standard: SSP Option: DSP)
厚度 4.5±0.5; 20±2;
Thickness (μm) Customized
导电类型 Un-doped N-type High-doped N-type
Conduction Type
电阻率 (300K) ≤0.5 ≤0.05 ≤0.01
Resistivity (Ω·cm
GaN厚度不均匀性 ≤±15% (6")
GaN Thickness Uniformity
位错密度 ≤5×108
Dislocation Density(cm-2)
有效面积   90%
Useable Surface Area
包装 Packaged in a class 100 clean room environment.
Package