中文 / EN
首页 > 产品 > 硅片

正片


Diameter 2"  3"  4"  5"  6"  8"  12" 
Grade  Prime 

Growth Method

CZ

Orientation 

< 1-0-0 > , < 1-1-1 > , < 1-1-0 >
Type/Dopant P Type/Boron , N Type/Phos,  N Type/As, N Type/Sb
Thickness (μm) 280 380 525 625 675 725 775
Thickness Tolerance Standard ± 25μm, Maximum Capabilities ± 5μm ± 25μm ± 25μm
Resistivity (欧姆) 0.001-0.005;0.01-0.05;1-10;1-100 ohm-cm
Surface Finished P/E , P/P, E/E, G/G    单面抛光;双面抛光;腐蚀;研磨;切片
TTV (μm) Standard < 10 um, Maximum Capabilities <5 um
Bow/Warp  (μm) Standard <30 um,  Maximum Capabilities <20 um <40μm <40μm
Particle <10@0.5μm <10@0.3μm <10@0.3μm <10@0.3μm <10@0.3μm <10,@0.3μm <30@0.5μm


单晶硅是一种比较活泼的非金属元素,是晶体材料的重要组成部分,处于新材料发展的前沿,其主要用途是用作半导体材料等。

单晶硅片可以用于二极管级、整流器件级、电路级的生产和深加工制造,其后续产品集成电路和半导体分离器件已广泛应用于各个领域,

在军事电子设备中也占有重要地位。单晶硅片主要用于制作半导体元件。用途: 是制造半导体硅器件的原料,用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等


单晶硅圆片按其直径分为1英寸(25.4毫米)2英寸(52.8毫米)3英寸(76.2毫米)、4英寸(100毫米)、5英寸(125毫米)6英寸(150毫米)、8英寸(200毫米)、12英寸(300毫米)及18英寸(450毫米)等。直径越大的硅片,所能刻制的集成电路越多,芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。


单晶硅按晶体生长方法的不同,分为直拉法(CZ)、区熔法(FZ)和外延法。

直拉法、区熔法生长单晶硅棒材,外延法生长单晶硅薄膜。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。目前晶体直径可控制在Φ3~8英寸。

区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域,广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品,目前直径可控制在Φ3~6英寸。

外延片主要用于集成电路领域。


单晶硅的掺杂---

“p型硅”  硼元素           “n型硅”   磷元素 砷元素 锑元素

导电率在10*e-7 ~ 10*e3 之间的材料都称为半导体,有一些半导体是纯元素,如硅,锗,这构成了半导体的基础。
纯净的硅更像是绝缘体,而不是导体,当它被施加外部作用时(比如外加电压),没有能力改变其导电状态。所以必须往硅里面掺杂其它的元素,现在最重要的两个元素是----硼B和磷P。
当硅片被掺入硼或磷时,它的导电性就显著的改变了。通常情况下,一个纯硅片中是没有自由电子的,它所有的四个价电子都被锁住在与相邻硅原子的共价键中,由于没有自由电子,外加电压几乎无法导致电子流过硅片。
把磷加入到硅晶片中后,情况将发生改变。与硅不同,磷有五个价电子,而不是四个。其中,四个价电子和相邻的硅原子的四个价电子形成共价键。但第五个价电子没有电子结合,将飘浮在原子周围。如果一个电压施加到硅-磷混合物,这个未被束缚电子将穿过掺杂的硅片向电压的正极移动,向混合特中掺杂的磷越多,产生的电流越大。掺入磷杂质的硅称为“N型硅”,或“负电荷载流子型硅”。