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区熔硅片



Diameter 2"  3"  4"  5"  6"  8" 
Growth Method FZ
Orientation  < 1-0-0 > , < 1-1-1 > 
Type/Dopant Intrinsic, N Type/Phos, P Type/Boron
Thickness (?m) 180-1500 200-1500 200-1500 200-1100 200-1100 725
Thickness Tolerance Standard ± 25μm, Maximum Capabilities ± 5μm ± 20μm
Resistivity  1000-20000 Ohm-cm, Maximum Capabilities >20000 Ohm-cm and 1-5 Ohm-cm
Surface Finished P/E , P/P, E/E, G/G
TTV (?m) Standard < 10 um, Maximum Capabilities <5 um
Bow/Warp  (?m) Standard <40 um,  Maximum Capabilities <20 um <40?m
Particle <10,@0.5?m <10,@0.3?m <10,@0.3?m <10,@0.3?m <10,@0.3?m <10,@0.3?m