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SOI




Diameter 4"  5"  6"  8" 
Device Layer Dopant Boron, Phos, Arsenic, Antimony, Undoped
Orientation  <100>, <111>
Type SIMOX, BESOI, Simbond, Smart-cut
Resistivity  0.001-20000 Ohm-cm
Thickness (?m) 0.2-150
The Uniformity ?5%
BOX Layer Thickness (?m) 0.4-3
Uniformity ?2.5%
Substrate Orientation  <100>, <111>
Type/Dopant P Type/Boron , N Type/Phos,  N Type/As, N Type/Sb
Thickness (?m) 300-725
Resistivity  0.001-20000 Ohm-cm
Surface Finished P/P, P/E
Particle <10@.0.3um