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单晶硅棒
硅棒
什么是硅棒？什么是单晶硅棒？
多晶硅通过直拉法CZ或者区熔法FZ长晶得到的棒状单晶硅材料。一般的硅棒均指单晶硅棒，如果是多晶结构的“硅棒”，我们一般称之为多晶硅碇。单晶硅棒按直接大小可以分成2英寸、3英寸、4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸和18英寸，目前市场主流是8英寸和12英寸。单晶硅棒是生产硅片的原材料，其质量好坏，缺陷多少直接影响到硅片的质量。硅片碳含量和氧含量的高低、电阻率均匀性的好坏，以及内部缺陷的多少都是有硅棒长晶的时候决定的。
因此长晶技术是半导体材料的关键核心技术之一， 12英寸以上的长晶技术，只有少数大公司掌握，中国还是追赶阶段。
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商品详情
 
Diameter 2"  3"  4"  5"  6"  8" 
Grade  Prime 
Growth Method CZ FZ
Orientation  < 1-0-0 > , < 1-1-1 > , < 1-1-0 >
Type/Dopant P Type/Boron , N Type/Phos,  N Type/As, N Type/Sb
Oxygen Content 8-18 ppma 　
Carbon Content 　 　
Resistivity  0.001 - 100 ohm-cm
Life Time >50us 　







 
本征及超高阻区熔硅单晶（FZ-Silicon）
通过区熔工艺拉制的低杂质含量、低缺陷密度，晶格结构完美的硅单晶，晶体生长过程中不引入任何杂质，其电阻率通常在1000Ω•cm 以上，主要用于制作高反压器件和光电子器件。
中子辐照区熔硅单晶（NTDFZ-Silicon）
本征区熔硅单晶通过中子辐照可获得高电阻率均匀性的硅单晶，保证了器件制作的成品率和一致性。主要用于制作硅整流器（SR）、可控硅（SCR）、巨型晶体管（GTR）、晶闸管（GRO）、静电感应晶闸管（SITH）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）、超高压二极管（PIN）、 智能功率器件（SMART POWER）、功率集成器件（POWER IC）等，是各类变频器、整流器、大功率控制器件、新型电力电子器件的主体功能材料，也是多种探测器、传感器、光电子器件和特殊功率器件等的主体功能材料。
气相掺杂区熔硅单晶（GDFZ-Silicon）
利用杂质的扩散机理，在用区熔工艺拉制硅单晶的过程中加入气相杂质，从根本上解决了区熔工艺掺杂困难的问题，可得到任意导电型号、宽电阻率范围、电阻率均匀性与中子辐照相当的大直径低成本区熔气掺硅单晶，其电阻率在0.01-200Ω.cm，少子寿命达500-2000s，径向电阻率不均匀性≤10%，。适用于制作各类半导体功率器件、绝缘栅双极晶体管（IGBT）、高效太阳能电池等。
直拉区熔硅单晶（CFZ-Silicon）
采用直拉与区熔两种工艺相结合的方式拉制硅单晶，产品质量介于直拉单晶和区熔单晶之间。可掺入特殊元素例如镓（Ga）、锗（Ge）等。采用直拉区熔法制备的新一代CFZ太阳能硅片，其各项性能指标均远优于当前全球光伏产业使用的各类硅片，太阳能电池转换效率高达24-26%。产品主要应用于特殊结构、背接触、HIT等特殊工艺制作的高效太阳能电池上，并更为广泛的用于LED、功率器件、汽车、卫星等众多产品和领域中。
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