一、引言​碳化硅（SiC），作为一种具有独特性能的化合物半导体材料在现代科技发展进程中占据着举足轻重的地位。自 19 世纪被发现以来，

04-16 / 2025

在半导体材料的广阔天地中，氮化镓（GaN）硅片正凭借其独特的优势，逐渐崭露头角，成为推动现代科技进步的关键力量。氮化镓硅片，顾名思义

03-31 / 2025

锗片是由纯锗（Ge）制成的圆形片状材料，经过一系列工艺处理，最终制成符合特定要求的锗片。

03-26 / 2025

沟槽绝缘片（SOI，Silicon - On - Insulator）即绝缘衬底上的硅，是一种在半导体领域具有重要地位的材料和技术。

03-24 / 2025

在半导体技术不断演进的进程中，绝缘片（Silicon-on-Insulator，SOI）凭借独特的结构与卓越性能，成为推动集成电路发展的关键力量，在现代

03-19 / 2025

一、引言在现代科技飞速发展的浪潮中，半导体技术作为支撑众多领域创新的关键力量，其重要性不言而喻。而外延片，作为半导体制造过程中的核

03-17 / 2025