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图像反转光刻胶
图像反转光刻胶既可以按正性模式处理,也可以按负性模式处理。在正性模式下,其工艺顺序与正性光刻胶相同;而在负性模式下,曝光后需要进行图像反转烘焙步骤,随后进行全面曝光 。即使在负性模式下,光刻胶的交联程度也相当低,所以当温度超过通常为130°C的软化点时,光刻胶结构就会软化。
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商品详情
产品型号
图像反转光刻胶
AZ® 5209-E Photoresist
AZ® 5214-E Photoresist
TI Spray
TI xLIFT-X
TI 35 E
TI 35 ESX

图像反转光刻胶的原理:
主要基于光敏化学反应和树脂部分的交联反应‌。在反转光刻胶工艺中,首先进行掩模曝光,此时掩模曝光区域的光敏成分会转变为羧酸,这种转变使得该区域变得亲水并可溶于碱性显影液中。随后,进行反转烘烤,这一步骤导致树脂部分在相对较高的温度下发生交联反应。由于光敏反应生成的物质对交联反应有促进作用,因此曝光区域的交联反应比未曝光区域更为显著。
接下来进行泛曝光,即不使用掩膜的曝光过程,此时未掩模曝光区域的光刻胶也会受到曝光。但由于之前的光敏反应和交联反应,这些区域的溶解性降低。因此,在后续的显影过程中,未掩模曝光区域的光刻胶被溶解掉,而曝光区域的光刻胶则得以保留,从而实现图像的反转‌。
反转烘烤是获得反转图形最关键的一步工艺,它确保了曝光区域的光刻胶在显影液中不溶解,而未曝光区域的光刻胶则易于溶解,从而实现图形的反转‌。

组成成分
1.光敏树脂:作为光刻胶的主要成膜物质,其化学结构和性质决定了光刻胶的基本性能,如感光特性、粘附性等。常见的光敏树脂类型根据不同的光刻技术和应用场景有所差异,例如在深紫外光刻中,会采用对深紫外光敏感的特定树脂体系。
2.增感剂:能够增强光刻胶对特定波长光的吸收和反应灵敏度,提高光刻胶的感光效率,使光刻胶在较低的曝光能量下就能产生明显的化学反应,从而实现更精细的图案转移。
3.添加剂:包括一些用于调节光刻胶物理性能和化学稳定性的物质,如改善光刻胶涂布均匀性的流平剂、增强光刻胶与衬底粘附力的粘附促进剂等。

特性
1.高分辨率:能够实现高精度的图案转移,满足现代微纳加工对分辨率的严格要求。在先进的半导体制造工艺中,图像反转光刻胶可以制作出极小尺寸的线条和图形,有助于提高芯片的集成度和性能。
2.良好的工艺适应性:可以与多种光刻技术和工艺条件相匹配,无论是传统的紫外光刻,还是先进的深紫外光刻、极紫外光刻等,图像反转光刻胶都能通过适当的配方调整和工艺优化,实现良好的成像效果。
3.灵活的图案设计:由于其独特的图像反转特性,能够创造出一些常规光刻胶难以实现的复杂图案结构,为微纳加工提供了更多的设计自由度。

应用领域
1.半导体制造:在芯片制造过程中,图像反转光刻胶常用于制作高深宽比的结构,如接触孔、通孔等。它可以在保证高分辨率的同时,实现精确的图形转移,确保芯片内部电路的正确连接和性能稳定。
2.微机电系统(MEMS)制造:用于制造各种微机电系统器件,如微传感器、微执行器等。通过图像反转光刻胶的高精度图案化能力,可以制作出复杂的三维微结构,满足 MEMS 器件对微小尺寸和高性能的要求。
3.光电器件制造:在光电器件如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)等的制造中,图像反转光刻胶可用于制作精细的电极结构和光学结构,提高光电器件的发光效率和性能。

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