产品类型
| 电镀抗蚀剂 |
剥离用光刻胶 |
| AZ® 15nXT (115CPS) Photoresist |
AZ® nLOF2020 Photoresist |
| AZ® 15nXT (450CPS) Photoresist |
AZ® nLOF 2035 Photoresist |
| AZ® 125nXT-10B Photoresist |
AZ® nLOF 2070 Photoresist |
| AZ® 40XT-11D Photoresist |
AZ® 5215-E Photoresist |
| AZ® 10XT (220CPS) Photoresist |
TI 35 ESX |
| AZ® 10XT (520CPS) Photoresist |
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| AZ® IPS-6090 Photoresist |
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| 防反射涂层 |
喷涂 |
| AZ® Aquatar-VIII-A45 |
AZ® 4999 Photoresist |
| AZ® Barli II 200 |
TI Spray |
| AZ® Barli II 90 |
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| 防护涂层 |
电子束抗蚀剂 |
| AZ® P4K-AP Coating |
AZ® nLOF2070 Photoresist dil. |
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| 浸涂 |
P. 电路板抗蚀剂 |
| MC Dip Coating |
AZ® PL177 Photoresist |
电镀抗蚀剂基本原理
电镀用光刻胶的工作原理基于光刻技术。首先，将光刻胶均匀涂覆在待加工的衬底表面，经过烘烤使其固化形成一层薄膜。然后，通过掩膜版对光刻胶进行曝光，曝光区域的光刻胶会发生化学反应，其化学结构改变，在显影液中的溶解性也随之改变。对于正性电镀光刻胶，曝光区域可被显影液溶解去除，而负性电镀光刻胶则相反，未曝光区域被溶解，从而在衬底上形成与掩膜版对应的光刻胶图案。接着，在电镀过程中，只有光刻胶图案开口处的衬底表面能够进行金属沉积，其他部分则被光刻胶保护而不发生电镀反应。电镀完成后，去除光刻胶，便在衬底上留下了精确的金属图案，实现了电镀区域的精准控制。
剥离用光刻胶基本原理
1.化学剥离原理：使用溶剂、酸或碱等化学试剂与光刻胶发生化学反应，使其溶解或分解。比如一些有机溶剂可以溶解光刻胶中的树脂成分；碱性物质可以攻击光刻胶中的交联树脂，使酯键或酰胺键断裂，形成小分子片段，这些小分子能溶于去胶液的溶剂中，从而实现剥离。
2.物理剥离原理：多采用干法，常见的是等离子体剥离。以氧气等离子体剥离为例，利用反应离子刻蚀（RIE）或电感耦合等离子体（ICP）设备，在真空腔室中将氧气通入并激发成等离子体，等离子体中的活性氧自由基猛烈轰击光阻，切断高分子链，活性氧攻击光阻中的 C - H 键，生成 CO、CO₂和 H₂O 等气态产物，再通过真空泵抽走，达到去除光刻胶的目的。
电子束抗蚀剂基本原理
电子束抗蚀剂由树脂、感光剂、溶剂及添加剂构成。在电子束光刻中，电子束照射到抗蚀剂上，其中的感光剂吸收电子束能量。对于正性抗蚀剂，感光剂在光照下分解，使照射区域的树脂由不溶变为可溶于显影液；对于负性抗蚀剂，感光剂受电子束激发使树脂在照射区域发生交联反应，由可溶变为不溶。随后进行显影处理，正性抗蚀剂被照射部分溶解去除，未照射部分保留；负性抗蚀剂则相反，从而在抗蚀剂层形成与电子束曝光对应的图形。
P. 电路板抗蚀剂
1.物理隔离原理：抗蚀剂涂覆在电路板需要保护的部位，如铜箔电路部分，在其表面形成一层连续、致密的保护膜，像干膜抗蚀剂、湿膜抗蚀剂等涂覆后固化，将铜箔与外界的蚀刻液等化学物质隔离开来，使蚀刻液无法接触到被保护的铜箔，从而达到抗蚀的目的。
2.化学稳定原理：抗蚀剂本身具有化学稳定性，在特定的蚀刻环境下不与蚀刻液发生化学反应。例如一些以高分子聚合物为主要成分的抗蚀剂，其分子结构稳定，在酸性或碱性蚀刻液中不会被溶解或破坏，能够保持自身的完整性和对铜箔的保护作用。
3.光化学原理：对于光致抗蚀剂，在曝光前，抗蚀剂整体性能均一。曝光时，受特定波长的光照射，曝光区域的抗蚀剂会发生光化学反应，如光交联型抗蚀剂在光照下分子间发生交联反应，由线性分子变成网状结构，从而使其在显影液中的溶解性发生变化。曝光后，利用显影液去除未曝光部分的抗蚀剂，留下的曝光部分抗蚀剂就形成了保护电路图形的抗蚀层。
