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正性光刻胶
正性薄光刻胶和厚光刻胶
正性光刻胶是一种对光敏感的高分子材料,在受到特定波长的光照射后,其化学结构会发生变化,从而导致溶解性发生改变。具体来说,在曝光区域,光刻胶中的感光成分会发生光化学反应,使得曝光部分的光刻胶在显影液中溶解性增强,能够被显影液去除,而未曝光部分的光刻胶则保持原来的不溶性,从而在光刻过程中形成与掩膜版相对应的图形。
 
对于正性光刻胶,曝光区域在显影液中可溶,这是因为在曝光过程中会形成茚羧酸,而未曝光的光刻胶区域则保留在衬底上。由于正性光刻胶不会发生交联反应,当温度超过其软化温度(通常为 100 - 130°C)时,光刻胶的轮廓会变圆。这种现象在某些情况下是不希望出现的,但在特定应用中也会被有意利用 。
 
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商品详情
产品型号
 
正性薄光刻胶     正性厚光刻胶
AZ® 1505 Photoresist   AZ® 10XT (220CPS) Photoresist
AZ® 1512 HS Photoresist AZ® 10XT (520CPS) Photoresist 
AZ® 1514 H Photoresist AZ® 12XT-20PL-10 Photoresist
AZ® 1518 Photoresist  AZ® 12XT-20PL-15 Photoresist
AZ® ECI 3007 Photoresist  AZ® 3DT-102M-15 Photoresist
AZ® ECI 3012 Photoresist  AZ® 40XT Photoresist
AZ® ECI 3027 Photoresist AZ® 4533 Photoresist
AZ® MIR 701 (11CPS) Photoresist  AZ® 4562 Photoresist
AZ® MIR 701 (14CPS) Photoresist AZ® 4999 Photoresist
AZ® MIR 701 (29CPS) Photoresist  
MC Dip Coating  
AZ®TFP 650 Photoresist
 

组成成分

1.树脂:一般为线性酚醛树脂,为光刻胶提供粘附性和化学抗蚀性,保证光刻胶薄膜能附着在衬底上,并在后续工艺中抵抗化学物质的侵蚀。

2.感光剂:最常见的是重氮萘醌(DNQ)。曝光前,DNQ 是溶解抑制剂,降低树脂在显影液中的溶解速度;曝光后,DNQ 化学分解,成为溶解度增强剂,使曝光区域的光刻胶在显影液中的溶解度大幅提高。
3.溶剂:如丙二醇 - 甲基乙醚(PGME)等,使光刻胶在涂覆到硅片表面之前保持液态,以便于均匀涂覆。

特性
1.高分辨率:具有很好的对比度,能够生成具有良好分辨率的图形,可清晰地将掩膜版上的精细图案转移到衬底上,适用于制造高精度的集成电路等微细结构。
2.边缘陡直:形成的图形边缘较为陡直,能够满足对图形精度要求较高的工艺需求,有助于提高芯片等器件的性能和可靠性。
3.去胶容易:在光刻工艺完成后,相对负性光刻胶更容易去除,减少了残留对后续工艺的影响。
 
工艺操作流程
1.合成甲酚醛树脂:将原料混甲酚和甲醛送入不锈钢釜,加入适量草酸为催化剂,加热回流反应 5-6h,然后减压蒸馏去除水及未反应的单体酚,得到甲酚醛树脂。
2.合成感光剂:在装有搅拌器的夹套反应罐中,先将三羟基二苯甲酮和 215 酰氯加至丙酮中搅拌下溶解,待完全溶解后,滴加有机碱溶液做催化剂,控制反应温度 30-35℃,滴加完毕后,继续反应 1h。将反应液冲至水中,感光剂析出,离心分离,干燥。
3.配胶:将合成的树脂、感光剂与溶剂及添加剂按一定比例混合配胶,然后调整胶的各项指标使之达到要求。最后过滤分装,光刻胶首先经过板框式过滤器粗滤,然后转入超净间(100 级)进行超净过滤,滤膜孔径 0.2mm,经超净过滤的胶液分装即为成品。



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