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硅片的制作过程
1. 硅片的制作过程
硅片的制作过程通常包括以下几个主要步骤：
 
1.1 硅棒生长（Crystal Growth）
 
方法：常用直拉法（Czochralski法）或区熔法（Float Zone法）。
 
过程：将高纯度多晶硅放入石英坩埚中加热熔化，然后通过籽晶（seed crystal）旋转并缓慢拉出单晶硅棒。
 
结果：形成圆柱形单晶硅棒（ingot）。
 
1.2 硅棒加工（Ingot Processing）
步骤：
 
截断（Cropping）：切除硅棒的头尾不规则部分。
滚磨（Grinding）：将硅棒外圆磨削至标准直径。
定位面切割（Notching）：在硅棒上切割定位面（flat or notch），用于后续工艺中的晶向定位。
 
1.3 切片（Slicing）
将硅棒切成薄片，形成厚度均匀的切片。
 
1.4 倒角（Edge Rounding）
目的：磨掉切片后硅片边缘的锐角，防止后续工艺中产生碎片或裂纹。
 
1.5 研磨（Lapping/Grinding）
目的：去除切片后硅片表面的损伤层，并改善厚度均匀性。
 
1.6 腐蚀（Etching）
目的：通过化学腐蚀去除研磨过程中产生的表面损伤和杂质。
 
1.7 抛光（Polishing）
目的：使硅片表面达到镜面光滑。

1.8氧化（Oxidation）（如果客户有要求氧化厚度）
 
1.9 清洗（Cleaning）
目的：去除抛光后硅片表面的颗粒和污染物。
 
1.10 检测与包装（Inspection & Packaging）
检测：对硅片的表面质量、厚度、电阻率等参数进行检测。
包装：将合格硅片包装并贴标签，准备发货。

（二）硅片参数
 
2. 硅片参数在不同阶段的确定
 
2.1 硅棒生长（Crystal Growth）时确定的参数

氧含量Oxygen Concentration ：氧含量主要来自硅棒生长过程中石英坩埚的溶解，直拉法硅棒的氧含量通常较高。
碳含量Carbon Concentration ：碳含量主要来源于多晶硅原料或生长环境中的污染，硅棒生长过程中会引入碳杂质。
EPD 位错密度（Etch Pit Density）
OSF 氧化层错（Oxidation-Induced Stacking Faults）：OSF 主要与硅棒生长过程中的晶体缺陷有关，后续热处理（如氧化工艺）可能会进一步影响 OSF 。
晶向（Crystal Orientation）：如（100）、（111）等，由籽晶的晶向决定。
电阻率（Resistivity）：由掺杂浓度决定，在硅棒生长过程中确定。
导电类型（Conductivity Type）：P型或N型，由掺杂元素（如硼或磷）决定。
 
2.2 切片形态时确定的参数
厚度（Thickness）：切片时初步确定硅片的厚度。
总厚度偏差（TTV, Total Thickness Variation）：切片后初步确定，但后续研磨和抛光会进一步优化。
Bow/Warp 基本切片时确定
 
2.3倒角后确定的参数
直径、倒角形状（R22、R150、R130 22Deg等）
 
2.3 研磨工艺确定的参数
 
表面粗糙度（Roughness）：研磨后初步改善，但最终由抛光决定。
厚度均匀性（TTV）：研磨后得到修正，但最终由抛光决定。
 
2.4 抛光工艺确定的参数
表面粗糙度（Roughness）
总厚度变化  TTV
表面质量（Surface Quality）：如表面缺陷（如橘皮纹、鸡爪印、掺杂环）、颗粒污染、表面金属杂质含量等，由抛光和清洗决定。
局部平整度：如SFQR、STIR，由抛光决定。
TIR 平整度：由抛光决定

2.5氧化工艺（Oxidation）确定的参数
氧化层厚度由氧化工艺决定，通常在硅片抛光后进行。



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