产品型号
| 负性光刻胶 |
| AZ® 125nXT-10B Photoresist |
| AZ® 15nXT (115CPS) Photoresist |
| AZ® 15nXT (450CPS) Photoresist |
| AZ® LNR-003 Photoresist |
| AZ® LNR-003 Photoresist dil. |
| AZ® nLOF2020 Photoresist |
| AZ® nLOF2035 Photoresist |
| AZ® nLOF2070 Photoresist |
| AZ® nLOF 2070 Photoresist dil. |
| AZ® nLOF 5510 Photoresist |
负性光刻胶的特点主要包括：
在紫外光曝光后，暴露部分会发生交联反应变得不溶解，而未暴露部分可被去除；具有高粘附力、选择性和一定的分辨率。
负性光刻胶是一种特殊的光敏聚合物。在紫外光曝光后，其暴露部分会发生交联反应，变得不溶解于显影液，而未暴露的部分则可以被去除。这一特性使得负性光刻胶适合用于制作需要去除的区域，即曝光后被照射的部分会被去除。
此外，负性光刻胶还具有良好的粘附性能，可以与各种衬底表面相容，这使得它在半导体制造等应用中具有广泛的适用性。同时，负性光刻胶具有选择性，即只在紫外线照射的区域发生聚合反应，未曝光的区域则不会发生聚合反应，这一特性有助于实现高分辨率的图案制备。
然而，与正性光刻胶相比，负性光刻胶的分辨率可能相对较低，但其灵敏度通常较高。在实际应用中，需要根据具体的工艺需求和图形特征来选择合适的光刻胶类型。
综上所述，负性光刻胶以其独特的交联反应特性、良好的粘附性能和选择性，在半导体制造等微细加工领域中发挥着重要作用。
主要组成成分
1.聚合物：作为光刻胶的主体成分，比如聚异戊二烯等。聚合物形成的分子网络结构决定了光刻胶的基本性能，如粘附性、机械性能等，确保光刻胶能牢固附着在衬底上，同时在后续工艺中保持图案的稳定性。
2.感光剂：常见的如重氮盐类化合物。感光剂在光照下会引发聚合反应，促使聚合物分子之间发生交联，改变曝光区域光刻胶的溶解性。
3.溶剂：像甲苯等有机溶剂。溶剂使光刻胶在涂覆时呈液态，便于均匀地涂覆在衬底表面，形成厚度均匀的光刻胶薄膜。
应用领域
1.集成电路制造：在早期的芯片制造中，负性光刻胶被大量应用于制作简单的集成电路结构。尽管随着芯片制程的不断缩小，正性光刻胶在先进制程中占据主导，但在一些对分辨率要求相对较低、线宽较大的芯片制造环节，负性光刻胶仍有使用。
2.印刷电路板（PCB）制造：用于在 PCB 上制作电路图案，帮助实现电子元件之间的电气连接。其良好的粘附性和图形分辨率，能够满足 PCB 制作中对线路精度和可靠性的要求。
3.微机电系统（MEMS）制造：在 MEMS 器件的制造过程中，负性光刻胶可用于制作各种微结构，如微传感器、微执行器等，帮助实现 MEMS 器件的功能。
