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化合物半导体
碳化硅(SiC)
碳化硅晶片的主要应用领域有LED固体照明和高频率器件。该材料具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性,在高温、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波性等电子应用领域和航天、军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优势。国内独家碳化硅单晶供应商,在研发、技术、市场开发及商业运作等方面处绝对领先地位,已成功掌握76mm(3英寸)超大宝石级SiC2晶体生长核心技术工艺,达到国际2001年先进水平。
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商品详情
碳化硅规格 Silicon Carbide SiC
等级 Grade  Z级
Zero MPD
工业级
Production
研究级
Research Grade
试片级
Dummy Grade
直径 Diameter  50.8 ±0.38 mm, 76.2 ±0.38 mm, 100±0.5 mm, 150±0.25mm
厚度 Thickness  4H-N  350 μm±25μm
4H-SI 500 μm±25μm
晶片方向 Wafer Orientation   Off axis : 4.0° toward 1120 !±0.5° for 4H-N                      On axis : <0001>±0.5° for 4H-SI
微管密度 Micropipe Density  ≤1 cm-2  ≤5 cm-2  ≤15 cm-2  ≤50 cm-2
电阻率 Resistivity 4H-N  0.015~0.028 Ω·cm
6H-N  0.02~0.1 Ω·cm
4/6H-SI  >1E5 Ω·cm  (90%) >1E5 Ω·cm
主定位边方向 Primary Flat  {10-10}±5.0°
主定位边长度 Primary Flat Length  15.9 mm±1.7 mm,  22.2 mm±3.2 mm, 32.5 mm±2.0 mm,  47.5 mm±2.5 mm
次定位边长度 Secondary Flat Length  8.0 mm±1.7 mm, 11.2 mm±1.5 mm, 18.0mm±2.0 mm, -----, 
次定位边方向 Secondary Flat Orientation  Silicon face up: 90° CW. from Prime flat ±5.0°
边缘 Edge exclusion  3 mm
总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/Bow /Warp  ≤15μm /≤25μm /≤40μm
表面粗糙度 Roughness  Polish Ra≤1 nm
CMP Ra≤0.5 nm
裂纹(强光灯观测) 
Cracks by high intensity light 
None  None  1 allowed, ≤1 mm
六方空洞(强光灯观测)
Hex Plates by high intensity light 
Cumulative area≤1 %  Cumulative area≤1 %  Cumulative area≤3 %
多型(强光灯观测)
Polytype Areas by high intensity light 
None  Cumulative area≤2 %  Cumulative area≤5%
划痕(强光灯观测) 
Scratches by high intensity light
3 scratches to 1× wafer diameter
cumulative length
5 scratches to 1× wafer diameter
cumulative length
8 scratches to 1× wafer diameter
cumulative length
崩边 Edge chip  None  3 allowed, ≤0.5 mm each  5 allowed, ≤1 mm each
表面污染物(强光灯观测)
Contamination by high intensity light 
None






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