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化合物半导体
锗片(Ge)
粉末状呈暗蓝色,结晶状,为银白色脆金属。密度5.35克/厘米3。熔点937.4℃。沸点2830℃。化合价+2和+4。第一电离能7.899电子伏特。是一种稀有金属,重要的半导体材料。不溶于水、盐酸、稀苛性碱溶液。溶于王水、浓硝酸或硫酸、熔融的碱、过氧化碱、硝酸盐或碳酸盐。在空气中不被氧化。其细粉可在氯或溴中燃烧。
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商品详情


锗性质
具有半导体性质。对固体物理和固体电子学的发展超过重要作用。锗的熔密度5.32克/厘米3,锗可能性划归稀散金属,锗化学性质稳定,常温下不与空气或水蒸汽作用,但在600~700℃时,很快生成二氧化锗。与盐酸、稀硫酸不起作用。浓硫酸在加热时,锗会缓慢溶解。在硝酸、王水中,锗易溶解。碱溶液与锗的作用很弱,但熔融的碱在空气中,能使锗迅速溶解。锗与碳不起作用,所以在石墨坩埚中熔化,不会被碳所污染。锗有着良好的半导体性质,如电子迁移率、空穴迁移率等等。锗的发展仍具有很大的潜力。现代工业生产的锗,主要来自铜、铅、锌冶炼的副产品

化学式  Ge 
分子量  72.61 
纯度 6N 
外观 锭状多晶、单晶 
用途 锗被广泛应用于电子工业、红外光学器件、光纤、医学、冶金、能源、太阳能电池等方面。 

 
Ge Wafer Specification
Type/Dopant 导电类型/掺杂元素 N-Type/Si P-Type/Zn
Dopant/掺杂元素 As, Sb Ga
Growth Method 长晶方式 CZ
Diameter 直径 2", 3", 4", 6"
Orientation 晶向 (100)±0.5°
Thickness 厚度 (µm) 175-500um±25um
OF/IF 参考边 US EJ
Resistivity 电阻率 (ohm-cm) 0.005-30 0.005-0.4
Etch Pitch Density 位错密度(/cm2) <300 <300
TTV 平整度 [P/P] (µm) <15
TTV 平整度 [P/E] (µm) <25
Warp 翘曲度 (µm) <25
Surface Finished 表面加工 P/P, P/E, E/E

 
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