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绝缘片/SOI
沟槽绝缘片/Trench SOI
PLUTO技术展示了其电介质隔离技术——在同一芯片上的组件之间提供高压隔离。使用厚膜SOI技术结合最先进的高纵横比深沟槽蚀刻和氧化物/多晶硅填充来实现隔离。该技术适用于100毫米至150毫米的所有晶片尺寸和1.5微米至100微米的硅器件层。
 
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商品详情

Trench SOI,沟槽绝缘片,TSOI,沟槽SOI

 
PLUTO技术展示了其电介质隔离技术——在同一芯片上的组件之间提供高压隔离。使用厚膜SOI技术结合最先进的高纵横比深沟槽蚀刻和氧化物/多晶硅填充来实现隔离。该技术适用于100毫米至150毫米的所有晶片尺寸和1.5微米至100微米的硅器件层。
 
供应选项可用
•通过提供的隔离掩模提供DI基板
•使用ICEMOS作为铸造厂提供完全加工的DI IC,以完成隔离后处理
•根据客户示意图提供DI上的完整IC设计和制造
 
后隔离技术Post Isolation technologies )可用
•简单双极
•CMOS(1P,2M)
•BiCMOS(1P,2M)
 
PLUTO沟槽隔离绝缘体上硅(SOI)衬底提供了桶的完全介电隔离。
主要优点是:
•消除埋层
•消除外延层
•消除P+隔离扩散
•最小化寄生电容
•高品质晶体硅层
•同时增加每个晶片的模具
•高压击穿能力
•定制沟槽图案
我们的工艺工程师将与您的设计团队密切合作以充分发挥您流程的潜力。
 



Parameter  Specification Range 
Wafer Diameter  100, 125, 150 mm 
Handle Layer Specifications   
Handle Thickness  350–800 μm 
Handle Thickness Tolerance  ±5 μm 
Stack Thickness  350–1150 μm 
Dopant Type  N or P 
Doping  N type: Phos, Red Phos, Sb & As P type: Boron 
Resistivity  ≤0.001 – ≥10000 Ω-cm 
Growth Method  CZ, MCZ or FZ 
Crystal Orientation  <100>, <111> or <110> 
Backside Finish  Lapped/Etched or Polished 
Buried Oxide Specifications   
Thermally Oxidised Buried Oxide Thickness  0.2 – 4.0 μm grown on Handle, 
Device or both wafers 
Device Layer Specifications   
Device Layer Thickness  1.5 - 100 μm 
Tolerance  ± 0.5 μm 
Dopant Type  N or P 
Doping  N type: Phos, Red Phos, Sb & As P type: Boron 
Resistivity  ≤0.001 – ≥10000 Ω-cm 
Growth Method  CZ, MCZ or FZ 
Crystal Orientation  <100>, <111> or <110> 
Buried Layer Implant  N type or P type 
Trench Mask Tone  Positive Resist 
Trench Mask Type  E-beam master for projection aligner 
Trench Line Width  > 2um 
Trench Aspect Ratio  15:01
Trench Sidewall Doping Type  Phosphorus 
Trench Refill – Oxide (each sidewall)  0.1 – 1.0 μm 
Trench Refill – Polysilicon  To Fill (Doped or undoped Polysilicon) 
Planarisation  CMP 
Final Field Oxide  Thermal oxide + TEOS up to 1um 

应用
MEMS器件
固态继电器光伏发电机
光伏电池和光电子
设备/IC
用于电信
高性能双极电路
智能电源IC
集成传感器
 
主要功能:
设备完全隔离
相比之下,允许显著的模具收缩
具有传统的结隔离
缺陷密度远低于传统DI技术
基板电容低于本体
比epi上的沟槽隔离成本更低
公司地址:广东省佛山市南海区桂澜北路26号招商置地中心3座1815
工厂地址:广东省江门市外海区科苑西路46号3幢
备案号:粤ICP备19154843号