微纳代工/Foundry Services
我司为那些只需要在自己的晶圆上执行高质量的单单元工艺的客户提供广泛的附加加工服务。
我司为我们的键合BSOI和CSOI晶圆提供高分辨率SAM（扫描声学显微镜成像），这也可以作为客户自己的键合晶圆的服务提供。SAM检测提供了一种对粘接界面进行无损成像的方法。与传统的超声波检测方法、红外显微镜和X射线显微镜等常见的无损检测方法相比，扫描声学显微镜对像素、线对线扫描试样表面，并用试样换能器检测从试样中反射出的超声波。我司 SAM检测的检测限在10um的横向分层尺寸范围内，分层高度在15nm范围内。我司可以在直径为100mm - 200mm的晶圆上提供高分辨率的整片晶圆扫描，像素尺寸小至20微米。晶圆的各个区域可以以更高的分辨率进行扫描。
我司将利用工程专业知识来开发工艺流程和CAD（计算机辅助设计）布局，用于开发一套新的掩模或横截面概念图。
我司的工艺的流程在IATF 16949制造环境中运行，受到严格的统计过程控制（SPC）控制，并在先进CMOS要求的污染标准公差范围内，为您提供完美的解决方案。所有这一切都得到了快速周转服务和准时交货的高度合规性的支持。
主要特点：
• 高品质
• 低成本
• 缺陷密度低
• 多层
• 可提供针对客户要求的工艺流程
DRIE 蚀刻服务
深沟槽刻蚀是lceMOS的核心技术。凭借在该领域 20 多年的经验，我司可以提供最小特征尺寸为 2um 的 DRIE 硅蚀刻选项。在厚度达 300um 的 SOl 上，纵横比为 20.1 的沟槽。SOI上的laree面积模式，以及通过对块状硅和SOl进行晶圆蚀刻，曝光面积高达65%和高达500um的硅晶圆，纵横比高达12：1。如果需要，我们的填充技术不仅可以确保沟槽完全填充，还可以为后续加工留下完全平坦的硅表面。下面显示了我们可以做的一小部分示例。联系我们的工程团队，讨论蚀刻深度、侧壁角度、纵横比、裸露蚀刻区域以及是否需要重新填充。
薄膜沉积和扩散
出色的工艺控制和一套高温热氧化和LPCVD TEOS氧化物和LPCVD多晶硅使IceMOS为那些希望重新填充蚀刻特征或沉积热或牺牲氧化物和大量n++掺杂或未掺杂的LPCVD多晶硅层的人提供了出色的设施。
| Process |
Diameter |
Min Thickness |
Max Thickness |
Tolerance (+/-) |
Notes |
| Dry Oxidation |
100mm, 125mm,
150mm & 200mm |
24nm |
200nm |
15% |
|
| Wet Oxidation |
100mm, 125mm,
150mm & 200mm |
100nm |
6000nm |
5% |
|
Undoped LPCVD
Polysilicon |
100mm, 125mm,
150mm |
200nm |
4500nm |
10% |
Per deposition |
Heavily doped
LPCVD
Polysilicon (n++) |
100mm, 125mm,
150mm |
200nm |
4500nm |
10% |
Per deposition |
| LPCVD TEOS |
100mm, 125mm,
150mm |
200nm |
6000nm |
5% |
Densification at
1050C optional |
